RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
53
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
30
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3568
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link