RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2534
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link