RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2534
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link