RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2297
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link