RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
52
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
52
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
2169
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link