RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
46
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2717
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link