Porównanie pamięci RAM Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wynik ogólny

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

38 71

Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 6.4

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 12.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2099 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns