RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
71
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2099
1650
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link