RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
71
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
1650
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link