RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gesamtnote
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
71
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2099
1650
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link