Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Note globale
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    38 left arrow 71
    Autour de 46% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.1 left arrow 6.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.6 left arrow 12.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 12800
    Autour de 1.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    38 left arrow 71
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.8 left arrow 15.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.1 left arrow 6.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2099 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons