RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2462
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link