RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2901
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link