RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
27
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3435
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link