RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
19.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
3435
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link