RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
21.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
4349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link