RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
4349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link