RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3552
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link