RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
86
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
86
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1469
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link