RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3711
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link