RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3419
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link