RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2489
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link