RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
52
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2182
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link