RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2336
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link