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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2165
2336
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
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