RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3063
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link