RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
2690
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link