RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
74
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
74
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
1616
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link