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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
74
Autour de 45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
74
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
1616
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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