RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3132
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link