RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3132
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link