RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3132
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link