RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
39
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3726
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link