Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    32 left arrow 39
    Wokół strony -22% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.4 left arrow 11.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    16.3 left arrow 7.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 10600
    Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    39 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.7 left arrow 19.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.2 left arrow 16.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1749 left arrow 3726
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania