RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
39
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3726
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5403-002.A00G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link