RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
4064
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link