RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2256
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link