RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2292
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link