RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
122
Wokół strony 80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
122
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1411
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link