RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3029
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link