RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3064
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link