RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1832
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link