RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3201
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link