RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2563
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link