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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
15.6
13.4
写入速度,GB/s
11.8
9.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2563
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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