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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
13.9
写入速度,GB/s
870.4
11.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2821
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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