RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2364
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link