RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2364
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link