RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2829
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link