RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2764
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link