RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de -33% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2764
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Relatar um erro
×
Bug description
Source link