RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
48
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2466
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link