RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
81
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
81
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1634
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link