RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
1767
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link